七纳米及以下的芯片在设计材料、工艺等各方面都有巨大的改变。
比如在芯片的水平阵列中采用环栅（GAA）纳米线，在7纳米这个节点时，就不可避免要采用隧道FET和III-V族元素沟道材料和垂直纳米线来完善。
而7纳米以上的工艺则不需要这些。
说起来，芯片的发展和设计制造，其实就像是一栋楼的楼梯。
从高层逐渐往下走，每下降一点就走下一个台阶，就意味着解决一个问题。
而到了28纳米、14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这些楼层，就意味着你到了对应楼层的转折处。
能支撑你往下继续走的，不仅仅是某一个问题的解决，而是某一系列，甚至更多的问题解决。
光源、材料、EDA、设计等等各方面，全都要突破才能继续往下沉。
比如光源，不同的光波长不同，能够进行曝光尺度也不同，而在芯片领域，随着微电子制造工艺的不断进步，芯片晶体管的尺寸越来越小，对器件结构的要求越来越高，就需要更高分辨率和更精细的曝光图案。
稍微关注一点这块的人，目前市面上的光刻机大体上分为DUV和EUV。
DUV是目前比较成熟的方案，现阶段最高采用193nm波长的深紫外光源，被广泛应用在7nm以及7nm以前的工艺里。
而伴随着工艺的继续微缩，DUV已经力不从心，就需要使用极紫外光光源的EUV设备了。
所以徐川才对这位丁蔀长所说的7纳米这么惊讶。
因为按照他的了解，老实说这的确不是华国现在就做出来了的东西。
虽然丁经国说还有难题未突破，但能这么说，那就肯定只差最后一点点了。
徐川惊讶的是，国家这些年暗地里瞒着米国等西方国家搞了不少的动作啊。
不愧是兔子，狡兔三窟，犹有过之。
丁经国笑了笑，道：“说起来，这还得多感谢徐院士您。”
“我？”徐川好奇的看了他一眼。
丁经国点了点头，笑着道：“您可能不怎么关心这方面东西，但国家会永远铭记您对祖国的贡献。”
“在18年的时候，您带领团队完成了《核能β辐射能聚集转换电能机制项目》，利用这项技术，我们从别的国家手中交易到了一些原本处于禁售或者不出售的科技，以及设备。”
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